自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術，可利用各種工業標準介面提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產品，該產品利用稱為JE-DDR4的JEDEC標準DDR4介面的變體，它包含了對完整系統支持所需的獨特功能。本文將幫助工程師瞭解Xilinx ...
自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術，可利用各種工業標準介面提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產品，該產品利用稱為JE-DDR4的JEDEC標準DDR4介面的變體，它包含了對完整系統支持所需的獨特功能。本文將幫助工程師瞭解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4設計指南
2.啟用ST-DDR4
為了使設計人員能夠快速集成ST-DDR4支持，該過程從Xilinx Vivado開發環境中生成的現有8Gb DDR4 SDRAM-2666存儲器介面生成器（MIG）開始。與8Gb DDR4 SDRAM的差異如下，並將在後續章節中進行說明：
1.時間安排（減少工作頻率，增加行訪問時間，增加計數器寬度並減小CAS頁面大小）
2.加電（校準–校準期間啟用了防亂塗模式）
3.掉電（將所有相關數據塞入或移動到持久性存儲器陣列中）
4.性能（增加管道深度並提高數據傳輸效率）
註意：健壯的ST-DDR4持久性存儲器設計還需要系統級的糾錯碼（ECC）方案，但該文檔不在本文範圍之內。
3. DDR4 SDRAM-1333記憶體介面
在Xilinx設計環境中，將根據代表8Gb SDRAM DDR4-2666的速度和時序特性的輸入參數生成DDR4介面邏輯。
該表顯示了DDR4和ST-DDR4的關鍵時序參數
由於MIG無法使用當前JEDEC標準以外的參數創建介面邏輯，因此必須首先創建相容JEDEC的DDR4控制器。 everspin 1Gb ST-DDR4 1333器件最類似於8Gb DDR4-2666 SDRAM器件，因此請使用8Gb DDR4 SDRAM 2666規格SDRAM DDR4-2666中的時序值,一旦創建了DDR4介面邏輯，就可以修改時序，上電，掉電和性能參數，以啟用ST-DDR4持久性存儲器。
強烈建議在創建MIG之後，在Vivado中創建一個示例測試台，方法是右鍵單擊.xci文件並選擇名為“ Open IP Example Design ...”的菜單項。創建示例設計將創建一個新的Vivado項目。以及模擬新創建的MIG所需的所有測試文件。請參見Xilinx MIG創建教程，使用Vivado MIG為UltraScale設計存儲器介面和控制器，以及存儲器介面設計中心-UltraScale DDR4/DDR4存儲器。
